Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics - Viktor Sverdlov - 書籍 - Springer Verlag GmbH - 9783709119334 - 2016年8月23日
カバー画像とタイトルが一致しない場合、正しいのはタイトルです

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics Softcover reprint of the original 1st ed. 2011 edition

価格
¥ 25.336
税抜

遠隔倉庫からの取り寄せ

発送予定日 年9月15日 - 年9月25日
Viktor Sverdlov の新しいリリースのお知らせを受け取る
iMusicのウィッシュリストに追加

まだ評価がありません

他の形態でも入手可能:

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.


252 pages, 50 Tables, black and white; XIV, 252 p.

メディア 書籍     Paperback Book   (ソフトカバーで背表紙を接着した本)
リリース済み 2016年8月23日
ISBN13 9783709119334
出版社 Springer Verlag GmbH
ページ数 252
寸法 150 × 220 × 10 mm   ·   455 g
言語 ドイツ語  

同じ出版社からのその他の記事