Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics - Viktor Sverdlov - 書籍 - Springer Verlag GmbH - 9783709103814 - 2010年11月24日
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics 2011 edition

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.


268 pages, 101 black & white illustrations, 50 black & white tables, biography

メディア 書籍     Hardcover Book   (ハードカバー付きの本)
リリース済み 2010年11月24日
ISBN13 9783709103814
出版社 Springer Verlag GmbH
ページ数 252
寸法 170 × 244 × 15 mm   ·   635 g
言語 フランス語  

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