Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics - - 書籍 - Springer Verlag, Singapore - 9789811512148 - 2021年3月24日
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics Second Edition 2020 edition

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425 pages, 183 Illustrations, color; 130 Illustrations, black and white; XIV, 425 p. 313 illus., 183

メディア 書籍     Paperback Book   (ソフトカバーで背表紙を接着した本)
リリース済み 2021年3月24日
ISBN13 9789811512148
出版社 Springer Verlag, Singapore
ページ数 425
寸法 150 × 220 × 10 mm   ·   612 g
編集者 Ishiwara, Hiroshi
編集者 Okuyama, Masanori
編集者 Park, Byung-Eun
編集者 Sakai, Shigeki
編集者 Yoon, Sung-Min

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