Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - 書籍 - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642270185 - 2013年11月27日
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Koichiro Ishibashi
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

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Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

メディア 書籍     Paperback Book   (ソフトカバーで背表紙を接着した本)
リリース済み 2013年11月27日
ISBN13 9783642270185
出版社 Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
ページ数 144
寸法 155 × 235 × 8 mm   ·   226 g
言語 ドイツ語  
編集者 Ishibashi, Koichiro
編集者 Osada, Kenichi

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