Nabil Shovon Ashraf
Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies Nabil Shovon Ashraf

Name: Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies
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Author: Nabil Shovon Ashraf

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Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies

Nabil Shovon Ashraf

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.

メディア	書籍 Hardcover Book (ハードカバー付きの本)
リリース済み	2025年3月27日
ISBN13	9783031842856
出版社	Springer International Publishing AG
ページ数	129
寸法	174 × 249 × 14 mm · 424 g
言語	ドイツ語