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Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion - Engineering Materials and Processes Edmund G. Seebauer Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2009 edition
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Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion - Engineering Materials and Processes
Edmund G. Seebauer
"Charged Defects in Semiconductors" details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.
298 pages, 30 black & white tables, biography
| メディア | 書籍 Paperback Book (ソフトカバーで背表紙を接着した本) |
| リリース済み | 2010年10月22日 |
| ISBN13 | 9781849968201 |
| 出版社 | Springer London Ltd |
| ページ数 | 298 |
| 寸法 | 155 × 235 × 16 mm · 435 g |
| 言語 | 英語 |