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Introduction to Magnetic Random-Access Memory Bernard Dieny 第1 版
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Bernard Dieny
Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability.
250 pages
| メディア | 書籍 Hardcover Book (ハードカバー付きの本) |
| リリース済み | 2016年12月2日 |
| 発売日 | 2017 |
| ISBN13 | 9781119009740 |
| 出版社 | John Wiley & Sons Inc |
| ページ数 | 272 |
| 寸法 | 242 × 162 × 19 mm · 544 g |
| 言語 | 英語 |
