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Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications
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Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications
This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs based SG and DG-HEMT is also discussed.
130 pages, 7 Tables, black and white; 78 Line drawings, black and white; 1 Halftones, black and whit
| メディア | 書籍 Paperback Book (ソフトカバーで背表紙を接着した本) |
| リリース済み | 2023年9月25日 |
| ISBN13 | 9780367554156 |
| 出版社 | Taylor & Francis Ltd |
| ページ数 | 130 |
| 寸法 | 150 × 220 × 10 mm · 453 g |
| 言語 | 英語 |
| 編集者 | Mohankumar, N. (GITAM University, Bangalore) |
