Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies - Nabil Shovon Ashraf - 書籍 - Springer International Publishing AG - 9783031842856 - 2025年3月27日
カバー画像とタイトルが一致しない場合、正しいのはタイトルです

Nabil Shovon Ashraf
Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies

価格
₪ 144
税抜

遠隔倉庫からの取り寄せ

発送予定日 年12月22日 - 2026年1月1日
クリスマスプレゼントは1月31日まで返品可能です

お客様の声：

EU消費者保護法に基づく14日間の返品ポリシー
Trustpilotで高評価
iMusicのウィッシュリストに追加

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.

メディア 書籍     Hardcover Book   (ハードカバー付きの本)
リリース済み 2025年3月27日
ISBN13 9783031842856
出版社 Springer International Publishing AG
ページ数 129
寸法 150 × 220 × 20 mm   ·   472 g
言語 ドイツ語  
すべて表示

Nabil Shovon Ashrafの他の作品を見る

Nabil Shovon Ashrafのすべてを見る ( 例： Paperback Book および Hardcover Book )